압력제어 (Pressure Control)
L26
고순도 반도체 제조 프로세스용
1/4~3/8VCR, 저압·표준유량타입
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입구압력

Max.6MPa, 2MPa, 0.99MPa

조정압력

최대 0.99MPa
(레인지 사양 0~0.2MPa, 0~0.4MPa, 0~0.6MPa, 0~0.99MPa) 

원압변동

입구압력: 0.1MPa당 조정 압력 변화량: 0.001MPa이하

내압압력

22.2MPa(입구측), 1.5MPa(조정측)

사용온도

-10℃~+40℃

외부리크

용접사양(W): 1×10-11 Paµm3/s・He(진공법)

접촉 가스부 표면

연마사양: (그레이드"A"0.18μm Ra이하)

질량

1kg

설치방법

표준: 이면 판넬 마운트
옵션: 전면 판넬 마운트(품번코드-M)
사업분야
가스장비사업 원격검침용 스마트 계량기 사업 MAP 포장사업 Lab gas system
LAB Gas System
실험가스공급 (Gas Supply) 실험실 가스분석 (Gas Analysis) 실험실 가스유량제어
(Gas Flow Control) 실험실 가스혼합 (Gas Mixing) 실험실 가스안전 (Gas Safety)
제품소개
압력제어
(Pressure Control) 유량제어
(Flow Control) 가스혼합
(Gas Mixing) 가스분석
(Gas Analysis) 가스안전
(Gas Safety) 특수사양 레귤레이터
(Special Spec Regulators) 가스발생
(Gas Generator) 원격검침
(Advanced Metering Infrastructure)
MAP 포장
가스치환포장(MAP) MAP 시스템 개요 가스혼합기(Gas Mixer) 가스분석기(Gas Analyser) 누설검지기(Leak Detector) 적용분야 Q&A 자료실
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